Volgens berichten in de buitenlandse media beweren ingenieurs van het Electronic Information Technology Institute (Leti), een dochteronderneming van het Franse Agentschap voor Atoomenergie (CEA), dat hun nieuwe methode voor het produceren van Micro-LED's de productie van krachtige beeldschermen zal revolutiona- LCD's en Uitstekende beeldkwaliteit en energiebesparende ontwerp in vergelijking met organische LED's (OLED's).
Francois Templier, directeur van de marketingstrategie voor Leti Photonics, heeft onlangs een nieuw productieproces geïntroduceerd dat lichtgevende halfgeleiders combineert met op silicium gebaseerde drivercircuits tijdens de week van de Display Society (SID) in San Jose, Californië.
De ontwikkeling van grootformaat beeldschermen die een hogere beeldresolutie vereisen, betekent dat er snellere elektronische apparaten nodig zijn om alle soorten beeldschermen aan te sturen, waaronder Samsung's nieuwe commerciële Micro, die miljoenen individuele pixelzenders bevat. LED-formaat en andere producten.
Bestaande aandrijfschakelingen op basis van dunne-filmtransistor (TFT) actieve matrixontwerpen bieden echter niet de vereiste stroom- en snelheidsvereisten. De nieuwe door Leti ontwikkelde methode produceert een performant GaN Micro LED-display aangedreven door CMOS met een vereenvoudigd overdrachtsproces dat de noodzaak voor een conventionele TFT-backplane overbodig maakt. De rode, groene en blauwe micro-LED's worden direct op het micro-CMOS-circuit gestapeld voorafgaand aan het overbrengen van elke eenheid naar een eenvoudig ontvangend substraat, en de lichtemitters en backplane worden tegelijkertijd op een waferweger gefabriceerd op een enkele halfgeleiderverwerkingslijn.
